一种电极结构复用的阻变存储器
授权
摘要
本实用新型提供一种电极结构复用的阻变存储器,该阻变存储器从上到下依次是多个上电极，热导率低的绝缘介质层，阻变层，多个下电极层；其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压ET1小于阻变层薄膜的热击穿电压ET2，阻变层需要施加触发电压ETC将阻变层材料的电阻开关功能触发,使阻变层位于高阻态或低阻值态，其中ETC＜ET2，未触发和疲劳时的阻变层为绝缘介质层，本实用新型得到很小的实际电极，解决了目前的当存储器电极下的阻变材料局部失效时，不能够再次利用该电极的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种电极结构复用的阻变存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920523320.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-17
授权号 ：
CN210607332U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
魏凌尹延锋孙献文
申请人 ：
河南大学
申请人地址 ：
河南省开封市顺河区明伦街85号
代理机构 ：
郑州优盾知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑园
优先权 ：
CN201920523320.3
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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