一种具有稳定结构的双极阻变存储器
授权
摘要
本实用新型涉及存储技术领域,尤其是一种具有稳定结构的双极阻变存储器,采用MgO衬底层、W金属底电极层、TiO2薄膜阻变层、Ti金属顶电极层组成,形成Ti/TiO2/W/MgO结构,在水平方向,采用所述TiO2薄膜阻变层位于所述W金属底电极层中间位置,极大程度方便了各个角度集成应用时的安装,降低了集成难度。
基本信息
专利标题 :
一种具有稳定结构的双极阻变存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022283787.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-14
授权号 :
CN212783509U
授权日 :
2021-03-23
发明人 :
李洪伟
申请人 :
遵义师范学院
申请人地址 :
贵州省遵义市新蒲新区平安大道中段
代理机构 :
北京栈桥知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
余柯薇
优先权 :
CN202022283787.0
主分类号 :
H01L45/00
IPC分类号 :
H01L45/00
法律状态
2021-03-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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