阻变存储器
授权
摘要

根据实施例,一种阻变存储器包括:半导体衬底,具有控制端子、第一端子和第二端子的晶体管,所述晶体管设置在半导体衬底上,覆盖所述晶体管的绝缘层,连接到所述第一端子且设置在所述绝缘层上的第一导线,设置在所述绝缘层上的第二导线,以及连接在所述第二端子和所述第二导线之间的阻变元件。在所述第一导线和所述第二导线的布置方向上,所述第一导线的宽度大于所述第二导线的宽度。

基本信息
专利标题 :
阻变存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108885893A
申请号 :
CN201680033285.6
公开(公告)日 :
2018-11-23
申请日 :
2016-03-14
授权号 :
CN108885893B
授权日 :
2022-05-06
发明人 :
相川尚德岸达也中冢圭祐稻叶聪都甲大细谷启司J·Y·易H·J·徐S·D·金
申请人 :
东芝存储器株式会社;SK海力士公司
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京市中咨律师事务所
代理人 :
王英杰
优先权 :
CN201680033285.6
主分类号 :
G11C13/00
IPC分类号 :
G11C13/00  G11C11/15  H01L21/8246  H01L27/105  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C13/00
特征在于使用不包括在G11C11/00,G11C23/00或G11C25/00各组内的存储元件的数字存储器
法律状态
2022-05-06 :
授权
2022-02-08 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : G11C 13/00
登记生效日 : 20220121
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 东芝存储器株式会社
变更后权利人 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : SK 海力士公司
变更后权利人 : SK 海力士公司
2022-02-08 :
著录事项变更
IPC(主分类) : G11C 13/00
变更事项 : 申请人
变更前 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更后 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本东京都
变更事项 : 申请人
变更前 : SK 海力士公司
变更后 : SK 海力士公司
2022-02-08 :
著录事项变更
IPC(主分类) : G11C 13/00
变更事项 : 申请人
变更前 : 东芝存储器株式会社
变更后 : 铠侠股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本东京都
变更事项 : 申请人
变更前 : SK 海力士公司
变更后 : SK 海力士公司
2018-12-18 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 13/00
申请日 : 20160314
2018-11-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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