一种具有负阻特性的半导体放电管
授权
摘要
本实用新型提出了一种具有负阻特性的半导体放电管。包括：衬底、P2区、N1区、P1区、正面金属电极、背面金属电极；所述P2区制备为利用掺杂工艺在衬底一侧进行制备；所述N1区为利用掺杂工艺在P2区一侧进行制备；所述P1区为利用掺杂工艺在N1区一侧制备；正面金属电极为在P1区一侧进行制备；背面金属电极为在进行减薄处理后的衬底背面进行金属接触处理制备，本实用新型能够实现降低残压提高浪涌能力的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种具有负阻特性的半导体放电管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921700554.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-12
授权号 ：
CN212085008U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
单少杰苏海伟魏峰王帅张英鹏
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
代理机构 ：
上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
衣然
优先权 ：
CN201921700554.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/87 H01L21/329
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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