一种双向半导体放电管
授权
摘要
本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种双向半导体放电管，所述双向半导体放电管包括衬底层以及分别设于衬底层两侧的第一器件层和第二器件层，第一器件层和第二器件层的结构呈对称设置，其中，第一器件层包括：具有第二导电类型的扩散层；用于将扩散层分割为有效阳极区和无效阳极区的隔离区；金属层；具有第一导电类型的多个阴极区；设置于有效阳极区与隔离区之间，且具有第一导电类型的重掺杂区，通过在有效阳极区域隔离区之间设置掺杂浓度大于衬底层的掺杂浓度的重掺杂区，使得双向半导体放电管在满足击穿电压时依然具有低电容的能力，解决了TSS器件在通讯线路中由于其高电容容易导致信号失真的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种双向半导体放电管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921475518.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-05
授权号 ：
CN210668386U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
张潘德赖首雄蓝浩涛
申请人 ：
深圳市德芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田街坂田文化创意园Y1栋1楼12-13号212室
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘永康
优先权 ：
CN201921475518.5
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L29/06
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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