一种放电管及放电管制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供的放电管及放电管制作方法，涉及半导体器件技术领域。在放电管结构中形成相对于第二掺杂区朝向第四掺杂区的方向伸出和/或相对于第四掺杂区朝向第二掺杂区的方向伸出的掺杂尖峰结构，掺杂尖峰结构可以降低其所在区域的电阻，可以同时降低放电管中的阻断电压和通态压降，可以实现低电压(比如100V以下)击穿调整，提升阻断电压的均一性，并提升放电管的抗浪涌电流的能力。
基本信息
专利标题 ：
一种放电管及放电管制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429946A
申请号 ：
CN202210072195.5
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
左建伟
申请人 ：
吉林华微电子股份有限公司
申请人地址 ：
吉林省吉林市高新区深圳街99号
代理机构 ：
成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张红平
优先权 ：
CN202210072195.5
主分类号 ：
H01L23/62
IPC分类号 ：
H01L23/62
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/62
防过电流或过电负荷保护装置，例如熔丝、分路器
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/62
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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