一种单向半导体放电管及双向半导体放电管
授权
摘要
本实用新型涉及半导体保护器件技术领域，尤其涉及一种单向半导体放电管及双向半导体放电管，其中，包括：相互并联的第一TSS器件及第一TVS器件；其中，包括第一半导体衬底，第一半导体衬底上表面设置有一预定深度的第一N型掺杂区，第一半导体衬底下表面设置有一预定深度的第二N型掺杂区；一第一TSS器件区域；一第一TVS器件区域设置于第一TSS器件区域的一侧；第一TSS器件区域与第一TVS器件区域通过第一N型掺杂区及第二N型掺杂区实现并联。有益效果：使得形成有二次回归的特性曲线，且使得在小电流情况下由第一TVS器件区域导通，从而有效降低器件残压，进而消除器件浪涌对后端电路的影响，防止后端电路受到残压影响后损坏。
基本信息
专利标题 ：
一种单向半导体放电管及双向半导体放电管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022356951.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
CN213752708U
授权日 ：
2021-07-20
发明人 ：
单少杰苏海伟魏峰王帅张英鹏范炜盛
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
党蕾
优先权 ：
CN202022356951.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/07
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-07-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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