一种半导体放电管
授权
摘要
本申请提出一种半导体放电管，涉及半导体功率器件技术领域。该半导体放电管包括N型衬底、第一P型短基区、第二P型短基区、第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三P型重掺杂区、第四P型重掺杂区、第一N型发射区、第二N型发射区、第一电极、第二电极以及绝缘层，本申请提供的半导体放电管具有电压离散性较小，使用寿命更长，残压更低的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体放电管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022375992.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
CN212907749U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
朱明张超欧阳潇
申请人 ：
捷捷半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川区苏通科技产业园区井冈山路6号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李莎
优先权 ：
CN202022375992.X
主分类号 ：
H01L29/747
IPC分类号 ：
H01L29/747 H01L29/06 H01L21/332
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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