高浪涌双向瞬态电压抑制半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开一种高浪涌双向瞬态电压抑制半导体器件，包括：第一二极管芯片、第二二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线，所述一二极管芯片、第二二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端位于环氧封装体内；第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端分别与第一二极管芯片、第二二极管芯片各自的凸起端通过第一焊片层连接；所述第一金属引线、第二金属引线各自的中部具有一凸缘板，此凸缘板沿周向间隔地开有若干个通孔，所述凸缘板位于环氧封装体内。本实用新型高浪涌双向瞬态电压抑制半导体器件有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并有效避免了水汽的进入器件内部，提高了耐气候性。
基本信息
专利标题 ：
高浪涌双向瞬态电压抑制半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021217734.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-28
授权号 ：
CN212136442U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
张开航马云洋
申请人 ：
苏州秦绿电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区通安镇华金路258号3栋4楼
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202021217734.2
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/49 H01L23/492 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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