双向低压瞬态电压抑制器
授权
摘要
本实用新型公开双向低压瞬态电压抑制器，包括第一二极管芯片、第二二极管芯片、第一引线条和第二引线条，此竖直焊接部与水平引脚部呈垂直设置，所述倾斜连接部与水平引脚部夹角为30~60°；第一二极管芯片、第二二极管芯片、第一引线条和第二引线条各自的竖直焊接部、倾斜连接部位于环氧封装体内，所述第一引线条和第二引线条各自的水平引脚部位于环氧封装体底部，所述第一二极管芯片、第二二极管芯片均竖直地设置于第一引线条和第二引线条各自的竖直焊接部之间。本实用新型既降低了器件的安装面积，也避免了微小的间隙，从而延长了器件使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
双向低压瞬态电压抑制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021476953.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-23
授权号 ：
CN212934604U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
廖兵田伟
申请人 ：
苏州达晶半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1-304
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202021476953.2
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L23/488 H01L25/07
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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