低电容低钳位电压瞬态电压抑制器
授权
摘要
本实用新型涉及一种低电容低钳位电压瞬态电压抑制器。为低电容低钳位电压瞬态电压抑制器结构的TVS管，包含N‑型的硅衬底N‑sub硅片、P型阱PW、P+区、N+区、介质、接地金属层Gnd、接电源金属层VCC、信号端IO1和IO2金属的TVS器件，其特征在于：在N‑型的硅衬底N‑sub或生长的N‑型外延层N‑epi上至少包括第一至四P型阱PW1‑4，其TVS管由N+/PW2/PW3/N+组成双极性晶体管。本实用新型低电容低钳位电压瞬态电压抑制器结构的TVS管为双极型晶体管效应，不仅具有击穿电压和触发电压低，保护响应更快的优点；还具有导通电阻和钳位电压都更小的特性，对后级集成电路的保护能力更强。
基本信息
专利标题 ：
低电容低钳位电压瞬态电压抑制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020676738.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-28
授权号 ：
CN211654821U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
蒋骞苑赵德益赵志方吕海凤张啸王允张彩霞
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区施湾七路1001号
代理机构 ：
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 ：
董梅
优先权 ：
CN202020676738.0
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/07 H01L21/8222
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
