一种大通流低钳位的瞬态电压抑制器结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种大通流低钳位的瞬态电压抑制器结构，包括N型衬底，N型衬底下设有第一金属层，N型衬底上设有P型外延，P型外延内扩有两个N型阱，N型阱从P型外延的顶部沿伸至P型外延的底部，并与N型衬底相连，P型外延内扩有P型第一阱区和位于P型第一阱区上面的P型第二阱区，在P型外延上覆盖有氧化层，氧化层上设有第二金属层，第二金属层通过接触孔与P型第二阱区相连。本实用新型通过N型衬底、P型第一阱区和P型第二阱区，实现了整个环路上的二极管布局，增加了瞬态电压抑制器的峰值电流IPP流通能力，当用在电流较小的电路中时，无需额外串联限流元件，使用成本更低。
基本信息
专利标题 ：
一种大通流低钳位的瞬态电压抑制器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021306987.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-02
授权号 ：
CN212517202U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
周伟伟欧阳炜霞
申请人 ：
上海维攀微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区漕河泾开发区松江高科技园莘砖公路258号33幢803室
代理机构 ：
上海愉腾专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
谢小军
优先权 ：
CN202021306987.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/08 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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