一种瞬态电压抑制器
授权
摘要
本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器，包括二极管本体，所述二极管本体包括半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个P阱，多个所述P阱横向排列，每个所述P阱间隔设置有多个N+注入区和P+注入区；在多个所述P阱的一侧形成有多个纵向排列的注入区，每个所述注入区间隔设置有多个N+注入区和P+注入区；每个所述注入区由深槽单独包围分隔，多个所述P阱一同由深槽包围分隔；所述半导体衬底上形成有接触孔，所述接触孔表面金属淀积形成金属层，所述金属层并联连接多个P+注入区形成正极，所述金属层并联多个N+注入区形成负极。本实用新型在半导体衬底上形成P阱；并在P阱和半导体衬底形成N+注入区和P+注入区，减少响应时间，提高可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种瞬态电压抑制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122817153.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-17
授权号 ：
CN216250735U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
秦志方薛嘉文
申请人 ：
美台高科（上海）微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫星路588号2幢14层296室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122817153.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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