一种低电容瞬态电压抑制器
授权
摘要
本实用新型涉及一种低电容瞬态电压抑制器，采用衬底硅片，在TVS器件结构基础上，在衬底与外延之间增加N+埋层，并通过深N+/浅N+区引出，或者，在衬底与外延之间增加P+埋层，并通过深P+/浅P+区引出。本实用新型与传统低容结构的TVS器件，在不增加硅片面积的情况下，通过增加电流导通面积，使抗浪涌及静电释放的能力得以大幅提升，满足高速信号传输端口的要求，可以应用在诸如网口、RJ45、无线局域网、笔记本电脑等设备中。
基本信息
专利标题 ：
一种低电容瞬态电压抑制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020431718.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-30
授权号 ：
CN212434623U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
蒋骞苑赵德益赵志方吕海凤张啸王允李亚文
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区施湾七路1001号
代理机构 ：
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 ：
董梅
优先权 ：
CN202020431718.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/8222
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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