一种低电容大功率瞬态电压抑制器
授权
摘要
本实用新型涉及一种低电容瞬态电压抑制器。低电容大功率瞬态电压抑制器，在TVS管结构基础上，在衬底上通过掺杂形成一个与整个芯片面积相同或相近的大面积N+/P+结反偏二极管T1，与一个以上限制在每组隔离槽内的小结面积P+/P‑（PW）/NW（N‑）/N+组成的二极管串联结构。本实用新型比传统低容结构的TVS器件，拥有大功率防护及较小的导通电阻和钳位电压的特点，可以更好的保护后级电路芯片；整个器件的电容仍然很小，更好的满足高速信号传输端口的要求，可以应用在诸如高速网口、HDMI、局域网等设备中。可以长期稳定的保护后级电路。
基本信息
专利标题 ：
一种低电容大功率瞬态电压抑制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020707219.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-30
授权号 ：
CN211629114U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
蒋骞苑苏海伟赵德益赵志方吕海凤张彩霞张啸王允
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区施湾七路1001号
代理机构 ：
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 ：
董梅
优先权 ：
CN202020707219.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/07 H01L29/861 H01L21/8222
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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