一种大功率瞬态电压抑制器
授权
摘要
本实用新型涉及一种大功率瞬态电压抑制器，大功率瞬态电压抑制器采用P型衬底硅片，在现有大功率瞬态电压抑制器（TVS）结构基础上，在P型衬底与P型外延层之间增加了N+埋层，深N+多晶硅或深N+区与N+埋层连接，通过深N+多晶硅或深N+区/金属/金属焊线/金属框架进行引出，形成寄生NPN晶体管，即D1反向二极管与D2正向二极管，并使该NPN晶体管的发射极与基极短接。本实用新型的优越性在于：在不增加TVS器件面积的前提下，可以大大提升器件的电流能力、提升功率，最大浪涌电流可以提高50％以上。寄生的NPN晶体管具有极小的导通电阻，最终器件导通后的钳位电压更低，保护性能更强。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率瞬态电压抑制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020445209.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-31
授权号 ：
CN212434624U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
蒋骞苑赵德益赵志方吕海凤张啸王允
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区施湾七路1001号
代理机构 ：
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 ：
董梅
优先权 ：
CN202020445209.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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