高可靠性瞬态电压抑制器
授权
摘要
本实用新型公开一种高可靠性瞬态电压抑制器，包括第一引线、第二引线和芯片，所述第一引线、第二引线各自的端部与芯片位于环氧绝缘体内，焊片嵌入引线端部的凹槽且焊片的厚度大于凹槽的深度；芯片包括硅基片，此硅基片包括垂直方向相邻的N型掺杂区、P型掺杂区，所述P型掺杂区四周具有一沟槽，N型掺杂区进一步包括垂直方向相邻的轻掺杂N型层、重掺杂N型层，所述P型掺杂区进一步包括垂直方向相邻的轻掺杂P型层、重掺杂P型层，所述轻掺杂N型层与轻掺杂P型层接触，所述重掺杂P型层、重掺杂N型层分别位于硅基片上表面和下表面。本实用新型具有更低的钳位电压，增强了器件的抗浪涌能力，正向通流能力可以更好满足保护需求。
基本信息
专利标题 ：
高可靠性瞬态电压抑制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920694614.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-15
授权号 ：
CN209658186U
授权日 ：
2019-11-19
发明人 ：
廖兵沈礼福
申请人 ：
苏州达晶微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1-204
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN201920694614.2
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L23/49 H01L29/417
法律状态
2019-11-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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