瞬态电压抑制器

授权

摘要

本实用新型公开一种瞬态电压抑制器，包括硅基片，此硅基片包括垂直方向相邻的N型掺杂区、P型掺杂区，所述P型掺杂区四周具有一沟槽，N型掺杂区进一步包括垂直方向相邻的轻掺杂N型层、重掺杂N型层，所述P型掺杂区进一步包括垂直方向相邻的轻掺杂P型层、重掺杂P型层，所述轻掺杂N型层与轻掺杂P型层接触，所述重掺杂P型层、重掺杂N型层分别位于硅基片上表面和下表面，所述重掺杂N型层中心处具有一中掺杂P型子区，此中掺杂P型子区位于重掺杂N型层内，所述中掺杂P型子区和位于中掺杂P型子区周边的重掺杂N型层均与第二金属层电连接。本实用新型具有更低的钳位电压，增强了器件的抗浪涌能力，正向通流能力可以更好满足保护需求。

基本信息

专利标题：

瞬态电压抑制器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920694553.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-15

授权号：

CN209658181U

授权日：

2019-11-19

发明人：

廖兵沈礼福

申请人：

苏州达晶微电子有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1-204

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人：

王健

优先权：

CN201920694553.X

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/861