瞬态电压抑制器

授权

摘要

一种瞬态电压抑制器，包括基板、第一阱区、第二阱区、第一电极、第二电极、掺杂区及重掺杂区。基板具有表面。第一阱区形成于基板中且邻近表面。第二阱区形成于第一阱区中且邻近表面。第一电极形成于第二阱区中且邻近表面。第二电极形成于第一阱区中且邻近表面。第一阱区及第一电极具有第一电性。第二阱区及第二电极具有第二电性。掺杂区形成于第一电极与第二电极之间且邻近表面。掺杂区分别电性连接第一阱区与第二阱区。重掺杂区形成于掺杂区下方。重掺杂区具有与掺杂区相同的电性且重掺杂区的掺杂浓度高于掺杂区的掺杂浓度。本发明可有效降低瞬态电压抑制器的整体电阻。

基本信息

专利标题：

瞬态电压抑制器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109841609A

申请号：

CN201810048117.5

公开（公告）日：

2019-06-04

申请日：

2018-01-18

授权号：

CN109841609B

授权日：

2022-06-07

发明人：

陈志豪

申请人：

力智电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹县竹北市台元一街5号9楼之1

代理机构：

中国商标专利事务所有限公司

代理人：

宋义兴

优先权：

CN201810048117.5

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02