一种瞬态电压抑制器件及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及一种瞬态电压抑制器件及其制造方法，所述瞬态电压抑制器件包括：衬底；第一导电类型阱区，设于衬底中，包括第一阱、第二阱；第三阱，设于衬底上，第三阱的底部延伸至衬底；第四阱，设于第一阱中；第一掺杂区，设于第二阱中；第二掺杂区，设于第三阱中；第三掺杂区，设于第四阱中；第四掺杂区，设于第四阱中；第五掺杂区，从第四阱中延伸至第四阱外，且位于第四阱外的部分位于第一阱中；第六掺杂区，设于第一阱中；第七掺杂区，设于第五掺杂区下方、第一阱中。本发明可直接通过芯片正面的金属连线层将泄放电流引出，避免由于在衬底背面增加金属引出线，导致寄生的电阻和电感影响芯片性能。
基本信息
专利标题 ：
一种瞬态电压抑制器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110875303A
申请号 ：
CN201811014100.4
公开（公告）日 ：
2020-03-10
申请日 ：
2018-08-31
授权号 ：
CN110875303B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
程诗康顾炎张森
申请人 ：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
王宁
优先权 ：
CN201811014100.4
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-04-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20180831
申请日 : 20180831
2020-03-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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