双向瞬态电压抑制装置
授权
摘要
公开了一种双向瞬态电压抑制装置，该双向瞬态电压抑制装置包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面，所述衬底由第一导电类型的半导体形成；外延层，所述外延层仅形成在所述衬底的第一表面上，所述外延层由与所述第一导电类型不同的第二导电类型的半导体形成；扩散层，所述扩散层形成在所述外延层的远离所述衬底的表面上，所述扩散层由与所述第二导电类型不同的第三导电类型的半导体形成；以及沟槽，所述沟槽自所述扩散层的远离所述外延层的表面贯穿所述外延层并延伸至所述衬底内。该双向瞬态电压抑制装置结构简单，且便于组装。
基本信息
专利标题 ：
双向瞬态电压抑制装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922119672.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN210640257U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
顾兴冲高超周继峰
申请人 ：
力特半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区硕放振发六路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周永红
优先权 ：
CN201922119672.5
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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