非对称双向瞬态电压抑制器及其形成方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供一种双向瞬态电压抑制装置和制造该装置的方法。该方法开始于提供第一导电类型的半导体衬底，并在衬底上淀积与第一导电类型相反的第二导电类型的第一外延层。衬底和第一外延层形成第一p－n结。在第一外延层上淀积具有第二导电类型的第二外延层。第二外延层比第一外延层具有更高的掺杂剂浓度。在第二外延层上形成具有第一导电类型的第三层。第二外延层和第三层形成第二p－n结。
基本信息
专利标题 ：
非对称双向瞬态电压抑制器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101180709A
申请号 ：
CN200680017002.5
公开（公告）日 ：
2008-05-14
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龚璞如黄俊仁高隆庆彭洪娇
申请人 ：
威世通用半导体公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
梁晓广
优先权 ：
CN200680017002.5
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/22 H01G9/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2008-12-31 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-05-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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