一种不对称瞬态电压抑制器件产品
授权
摘要
本实用新型提供不对称瞬态电压抑制器件产品。在一个实施例中，不对称瞬态电压抑制器件产品可以包括：半导体衬底，其包括具有第一极性的内部区域；以及设置在半导体衬底的第一表面上的第一表面区域，该第一表面区域包括与第一极性相反的第二极性。不对称瞬态电压抑制器件产品还可包括第二表面区域，该第二表面区域包括第二极性，并且设置在半导体衬底的与第一表面相对的第二表面上，其特征在于，所述内部区域和第一表面区域包括具有第一击穿电压的第一瞬态电压抑制二极管，所述内部区域和第二表面区域包括与第一瞬态电压抑制二极管极性相反且具有不同于第一击穿电压的第二击穿电压的第二瞬态电压抑制二极管。
基本信息
专利标题 ：
一种不对称瞬态电压抑制器件产品
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922181476.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-06
授权号 ：
CN212659544U
授权日 ：
2021-03-05
发明人 ：
曾剑飞蔡颖达
申请人 ：
力特半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区硕放振发六路3号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
王小衡
优先权 ：
CN201922181476.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861
法律状态
2021-03-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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