具有快速反向恢复特性的功率半导体器件

授权

摘要

本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有快速反向恢复特性的功率半导体器件，包括：漏极金属，漏极金属上设置第一导电类型硅衬底，第一导电类型硅衬底上设置有第一导电类型硅外延层，第一导电类型硅外延层内设置沟槽，其中，沟槽内设置有场氧层、屏蔽栅、栅极和虚栅，屏蔽栅被场氧层包围，栅极与虚栅位于沟槽的顶部，栅极与第一导电类型硅外延层之间设置有第一栅氧层，虚栅与第一导电类型硅外延层之间设置有第二栅氧层，第二栅氧层的厚度小于第一栅氧层的厚度。本实用新型提供的具有快速反向恢复特性的功率半导体器件能够明显抑制反向恢复电流的峰值。

基本信息

专利标题：

具有快速反向恢复特性的功率半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921591170.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-24

授权号：

CN210535673U

授权日：

2020-05-15

发明人：

朱袁正周锦程

申请人：

无锡新洁能股份有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

曹祖良

优先权：

CN201921591170.6

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336 H01L29/423 H01L29/06