一种静电放电防护器件
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护器件。目前多采用可控硅SCR达成保护芯片抵御静电袭击的目的，但是结构比较复杂，加工难度较大，同时触发点电压值不能够灵活地调整。本实用新型的静电放电防护器件包括P型衬底，P型衬底上设置P阱，P阱上设置有SiO2氧化层，SiO2氧化层上设置有多晶硅层，多晶硅层的一边掺入P型杂质形成P+多晶硅注入区，另一边掺入N型杂质形成N+多晶硅注入区，中间为本征多晶硅区。本实用新型结构相对简单，并且触发点电压值可以通过改变本征多晶硅的长度来实现。
基本信息
专利标题 ：
一种静电放电防护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720106944.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-03-05
授权号 ：
CN201041804Y
授权日 ：
2008-03-26
发明人 ：
韩雁崔强董树荣霍明旭杜宇禅黄大海曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
张法高
优先权 ：
CN200720106944.2
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L23/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2010-08-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004372061
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2007201069442
申请日 : 20070305
授权公告日 : 20080326
号牌文件序号 : 101004372061
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2007201069442
申请日 : 20070305
授权公告日 : 20080326
2008-03-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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