静电放电防护电路及其布局
授权
摘要
本发明提供一种静电放电防护电路及其布局，该静电放电防护电路，包括有硅控整流器及金属氧化物半导体晶体管。硅控整流器耦接在电路接合垫及地线之间，以在静电放电发生时，引开由电路接合垫流入的静电放电电流。金属氧化物半导体晶体管具有与硅控整流器共用的源极，并耦接于电路接合垫及地线之间，以在静电放电发生时，降低硅控整流器的触发电压。硅控整流器具有第一二极管，并与第二二极管反向串联，且第一、二二极管耦接于电路接合垫与金属氧化物半导体晶体管的源极之间，以执行双极晶体管的功能。在静电放电防护电路的布局中，用以放置第一、二二极管的第一区域位于至少两个分开且用来放置金属氧化物半导体晶体管的第二区域之间。
基本信息
专利标题 ：
静电放电防护电路及其布局
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841873A
申请号 ：
CN200610056841.X
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴宜勋李建兴
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610056841.X
主分类号 ：
H02H9/00
IPC分类号 ：
H02H9/00 H01L23/60
法律状态
2009-02-11 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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