一种保护MOS管的静电放电防护电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种保护MOS管的静电放电防护电路，包括TVS管D1、TVS管D2、电感L1、电感L2、电容C1、电容C2、MOS管Q1以及MOS管Q2；电感L1和L2的一端分别对应连接电源输出端WW‑和CW‑，另一端分别对应连接MOS管Q1和Q2的漏极；电容C1的一端分别连接MOS管Q1的漏极和电感L1的一端，另一端连接LED+；电容C2的一端分别连接MOS管Q2的漏极和电感L2的一端，另一端连接LED+；MOS管Q1的源极连接LED‑，栅极连接控制信号PWM‑W；MOS管Q2的源极连接LED‑，栅极连接控制信号PWM‑C。本实用新型可以实现对MOS管的静电放电防护。
基本信息
专利标题 ：
一种保护MOS管的静电放电防护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021717412.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
CN212572078U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
江文闯黄智慧沙新荣刘基勇
申请人 ：
无锡市益明光电有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区珠江路92号
代理机构 ：
无锡苏元专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王清伟
优先权 ：
CN202021717412.4
主分类号 ：
H02H9/04
IPC分类号 ：
H02H9/04
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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