衬底触发的静电放电保护电路
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种衬底触发的静电放电保护电路，包括N型金属氧化物缓冲(Nch Buffer)晶体管和一个二极管串，Nch Buffer晶体管栅极接地，衬底与二极管串尾部二极管的阴极相连接，二极管串首部二极管的阳极与内部电路前一级相连接。在静电放电发生时，二极管串会先于Nch Buffer晶管导通产生电流，可以供给Nch Buffer晶体管衬底电流，并产生衬底偏压，触发Nch Buffer晶体管。本发明能使晶体管在静电放电发生时较快被触发开启，有较大电流释放能力，并能使开启均匀。
基本信息
专利标题 ：
衬底触发的静电放电保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979842A
申请号 ：
CN200510111045.7
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐向明
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111045.7
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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