提高触发效率的静电放电保护元件结构
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明一种静电放电保护元件结构，在Nch Buffer晶体管和阱控制的防护圈(guard－ring)之间插入一个N阱环，使得所有晶体管的体电阻都增大。在ESD发生时更容易进入击穿导通状态，而且也能使所有finger的晶体管都均匀动作，共同进入保护状态，从而达到更快更强的保护效果。
基本信息
专利标题 ：
提高触发效率的静电放电保护元件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1988150A
申请号 ：
CN200510111956.X
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐向明
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201026上海市浦东川桥路1188号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
王洁
优先权 ：
CN200510111956.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2009-05-06 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
