具有可控触发电压的超低泄漏静电放电器件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及具有可控触发电压的超低泄漏静电放电器件。本公开的实施例提供了一种静电放电(ESD)器件，包括：输入衬垫；具有触发电压Vt的欠重叠场效应晶体管(UL‑FET)，其包括：耦接至输入衬垫的欠重叠漏极区；耦接至地的源极区；以及耦接至输入衬垫的栅极结构；以及将UL‑FET的欠重叠漏极区与栅极结构分隔开欠重叠距离的阻挡层。
基本信息
专利标题 ：
具有可控触发电压的超低泄漏静电放电器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361155A
申请号 ：
CN202111192202.7
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·纳特Z·李S·米特拉A·卢瓦索梁巍
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111192202.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20211013
申请日 : 20211013
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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