低功耗可控硅电压过零触发器

专利权的终止未缴年费专利权终止

摘要

本发明是一种低功耗可控硅电压过零触发器。该触发器由自生电源，电压过零检测，过零脉冲成型，过零脉冲信号放大、触发驱动电路及可控硅构成。其中自生电源与电压过零检测两个电路利用四只桥式连接的稳压二极管交替工作在反向击穿与正向导通状态而实现合二为一，且只有在电网电压过零瞬间过零脉冲成型电路的晶体管截止，过零脉冲信号放大和触发驱动电路的晶体管导通，输出窄的负脉冲。而在电网电压的正半周和负半周多数晶体管均处干常断状态。该发器的触发■■在012～0.4ms可醒。多数晶体管的导通时间■■时间的1.2％-4％。在220V电■下整体■■■■功耗■■■■120■具有功耗■，低于■■■■■■■于■■■■的酒■■■。

基本信息

专利标题：

低功耗可控硅电压过零触发器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1058123A

申请号：

CN90104503.9

公开（公告）日：

1992-01-22

申请日：

1990-07-07

授权号：

CN1022722C

授权日：

1993-11-10

发明人：

张鸿欣单佩钧

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071陕西省西安市太白路2号

代理机构：

陕西省发明专利服务中心

代理人：

王品华

优先权：

CN90104503.9

主分类号：

H03K5/153

IPC分类号：

H03K5/153