一种具有低触发电压和击穿电压精准的静电抑制器
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有低触发电压和击穿电压精准的静电抑制器，包括USB控制器和USB接口，所述USB控制器和USB接口之间连接有贴片铁氧磁珠，并且USB控制器的一端连接有可变电阻RT1，所述可变电阻RT1的一端连接有共模扼流圈，并且共模扼流圈的一端与USB接口的一侧相连接，所述USB控制器的一端连接有可变电阻RT2，并且可变电阻RT2的一端连接有电阻，所述电阻的一端与USB接口的一侧相连接，本实用新型涉及静电抑制器技术领域。该具有低触发电压和击穿电压精准的静电抑制器，通过USB控制器和USB接口之间连接有贴片铁氧磁珠，从而再充电电容上产生一个从P型GAN增强型功率器的源极到栅极的位移电流，该位移电流在第一电阻上产生压降。
基本信息
专利标题 ：
一种具有低触发电压和击穿电压精准的静电抑制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021714200.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-17
授权号 ：
CN214152899U
授权日 ：
2021-09-07
发明人 ：
吴文明
申请人 ：
深圳市比创达电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田街道发达路云里智能园7栋1楼01室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021714200.0
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-09-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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