击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构，包括设置于同一P型衬底上的PNP管和NPN管，所述PNP管基极接所述NPN管集电极，所述PNP管(T1)集电极接所述NPN管基极，所述PNP管基极和所述NPN管集电极经第一电阻接电源阳极，所述NPN管基极和所述PNP管集电极经第二电阻接电源阴极，还包括用于调节击穿电压的稳压二极管，所述稳压二极管与所述PNP管和NPN管设置于同一P型衬底上，所述稳压二极管阳极与所述NPN管基极、所述PNP管集电极连接，所述稳压二极管阴极与所述PNP管基极和所述NPN管集电极连接。本发明能够有效提升SCR型ESD保护结构在不同环境下的适用性。
基本信息
专利标题 ：
击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512477A
申请号 ：
CN202210148786.6
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
聂卫东赵克翔
申请人 ：
无锡市晶源微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区106-C地块A幢209室
代理机构 ：
北京天盾知识产权代理有限公司
代理人 ：
张彩珍
优先权 ：
CN202210148786.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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