一种低击穿电压放电管
授权
摘要
本实用新型公开了一种低击穿电压放电管，该放电管由集成于一个芯片的二极管、三极管、可控硅组成，三极管的BVCEO实现器件的低击穿电压，并由三极管击穿后产生的电流为可控硅提供门极驱动电流。本实用新型使得放电管具有更低的（3.3‑5.7V）的击穿电压，从而能应用在低压电路，并且较TVS器件具有更高的浪涌能力，更低的漏电，更低的电容。
基本信息
专利标题 ：
一种低击穿电压放电管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920465210.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-09
授权号 ：
CN209526086U
授权日 ：
2019-10-22
发明人 ：
张超朱明
申请人 ：
捷捷半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市苏通科技产业园井冈山路6号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢海洋
优先权 ：
CN201920465210.6
主分类号 ：
H01L27/07
IPC分类号 ：
H01L27/07
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
H01L27/07
有源区共用的组件
法律状态
2019-10-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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