具有高击穿电压的半导体器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及到高击穿电压半导体器件，而且是与半导体衬底有相同电导型的高掺杂杂质区形成在一起的半导体器件，其中，在半导体衬底的背面，第一杂质区的对面，规定好的部位上注入高掺杂杂质，并形成高掺杂杂质区，在与第一杂质区相同的中心部位上其注入宽度为T，并且满足t1≤T≤t1+2Wo，其中t1是第一杂质区的宽度，Wo是第一杂质区和高掺杂杂质区之间沿深度方向的间隔。
基本信息
专利标题 ：
具有高击穿电压的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85106895A
申请号 ：
CN85106895.2
公开（公告）日 ：
1987-03-11
申请日 ：
1985-09-14
授权号 ：
CN85106895B
授权日 ：
1988-09-07
发明人 ：
江本孝朗盐见武夫
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
刘晖
优先权 ：
CN85106895.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/72 H01L29/91
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法律状态
1996-10-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-06-21 ：
授权
1987-03-11 ：
公开
1986-07-02 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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