用于超高电压的半导体器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
一种制造半导体器件的方法可包括：提供超高电压(UHV)组件，所述超高电压组件包括源极区及漏极区；以及在UHV组件的顶表面上形成氧化物层。所述方法可包括：将低电压端子连接到UHV组件的源极区；以及将高电压端子连接到UHV组件的漏极区。所述方法可包括：在设置在UHV组件的漏极区上方的氧化物层的表面上形成屏蔽结构；形成连接到屏蔽结构且连接到高电压端子的高电压内连线；以及形成连接屏蔽结构与低电压端子的金属布线。
基本信息
专利标题 ：
用于超高电压的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267714A
申请号 ：
CN202110275845.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邱奕正林天声林宏洲陈益民钟久华
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202110275845.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210315
申请日 : 20210315
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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