一种击穿电压高的薄有源层半导体器件
专利申请的视为撤回
摘要
一个在元件区内的双极晶体管设有一P+掺杂基区连接区的P型掺杂基区和n+掺杂的发射区。晶体管设有一PN结位于基区的下侧，并与一场效应晶体管串联连接，场效应管设有n+掺杂的漏区连接区。元件区是弱掺杂，从PN结至SiO2层的距离是小的，因而当给晶体管施加电压时，区域的载流子容易被耗尽。在耗尽层该电压产生低电场强度的电场。它阻碍了基区和漏连接区间的电流穿通。晶体管经得住高压，而只须在公知晶体管所要求的衬底上占用一半的空间。
基本信息
专利标题 ：
一种击穿电压高的薄有源层半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1092558A
申请号 ：
CN94100698.0
公开（公告）日 ：
1994-09-21
申请日 ：
1994-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·李特温
申请人 ：
艾利森电话股份有限公司
申请人地址 ：
瑞典斯德哥尔摩
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
董巍
优先权 ：
CN94100698.0
主分类号 ：
H01L29/36
IPC分类号 ：
H01L29/36 H01L29/06 H01L29/72 H01L29/804 H01L21/76 H01L27/02
法律状态
1998-04-22 ：
专利申请的视为撤回
1996-04-10 ：
实质审查请求的生效
1994-09-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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