电光有源器件
授权
摘要
一种基于硅的电光有源器件及其生产方法，所述器件包括：绝缘体上硅(SOI)波导；所述SOI波导的腔体内的电光有源堆叠，其中所述电光有源堆叠通过晶种层与所述电光有源器件的绝缘层隔开；以及所述电光有源堆叠与所述SOI波导之间的通道；其中所述通道填充有填充材料，所述填充材料的折射率大于形成所述腔体的侧壁的材料的折射率，以在所述SOI波导与所述电光有源堆叠之间在所述通道中形成桥波导。
基本信息
专利标题 ：
电光有源器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922088774.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-27
授权号 ：
CN211480045U
授权日 ：
2020-09-11
发明人 ：
余国民张毅A.齐尔基
申请人 ：
洛克利光子有限公司
申请人地址 ：
英国伦敦
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
俞华梁
优先权 ：
CN201922088774.5
主分类号 ：
H01L31/0232
IPC分类号 ：
H01L31/0232 H01L33/58 H01S5/20
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法律状态
2020-09-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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