具有侧向有源区的电光器件
授权
摘要
本公开的实施例涉及侧向电流注入电光器件。该器件包括具有沿堆叠方向z堆叠的III‑V族半导体增益材料的堆叠的有源区。有源区可以形成为具有多个侧表面部分的板坯，每个侧表面部分平行于堆叠方向z延伸。该装置还包括两个成对的元件，其包括：一对III‑V族半导体材料的掺杂层对(n掺杂层和p掺杂层)；以及一对侧向波导芯。这两对元件可以在板坯的相对侧上两两地侧向布置。这些元件明显地邻接板坯的侧表面部分中的相应部分，以便这些元件通过板坯彼此分离。本公开可以进一步涉及相关的硅光子器件和制造方法。
基本信息
专利标题 ：
具有侧向有源区的电光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111247704A
申请号 ：
CN201880068454.9
公开（公告）日 ：
2020-06-05
申请日 ：
2018-10-23
授权号 ：
CN111247704B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
C·卡尔L·考佐摩玛兹S·埃伯尔B·J·奥佛来恩
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
边海梅
优先权 ：
CN201880068454.9
主分类号 ：
H01S5/00
IPC分类号 ：
H01S5/00
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-06-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/00
申请日 : 20181023
申请日 : 20181023
2020-06-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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