提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法，当芯片加工的高温工艺完成后，将终端区的硅表面裸露，用化学清洗的方法对裸露的硅表面进行腐蚀剥离。本方法工艺简单、实用，解决了基础条件与工艺水平相对较差的情况下，可以确保硅高压平面器件的击穿电压，有较高的良品率和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1074556A
申请号 ：
CN92100068.5
公开（公告）日 ：
1993-07-21
申请日 ：
1992-01-14
授权号 ：
CN1025467C
授权日 ：
1994-07-13
发明人 ：
罗梅村赵时化
申请人 ：
中国科学院微电子中心
申请人地址 ：
100029北京市德胜门外祁家豁子华严里
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
戎志敏
优先权 ：
CN92100068.5
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/308
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
1996-02-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-07-13 ：
授权
1993-07-21 ：
公开
1992-06-10 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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