一种击穿电压对称的双向TVS器件
授权
摘要
本实用新型公开一种击穿电压对称的双向TVS器件，属于ESD防护器件领域，包括N型衬底、N型埋层、P型外延层、深沟槽、P阱和N+区域；所述N型埋层位于所述N型衬底上，所述P型外延层位于所述N型埋层上，所述P阱和所述N+区域位于所述P型外延层中，所述深沟槽贯穿所述P型外延层、所述N型埋层和所述N型衬底；所述N+区域为两个，分别位于所述P阱的两侧且距离所述P阱的距离相等；所述N+区域引出作为该双向TVS器件的正极，所述P型衬底作为该双向TVS器件的负极。本实用新型能够通过调整版图尺寸、外延层厚度以及P阱的浓度，实现对正、反向击穿电压的有效调控，实现正、反向击穿电压一致。
基本信息
专利标题 ：
一种击穿电压对称的双向TVS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122902089.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
CN216288469U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
王涛黄龙彭时秋肖步文贺琪张世权张继
申请人 ：
无锡中微晶园电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
叶昕
优先权 ：
CN202122902089.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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