非对称电压的单路双向TVS浪涌保护芯片
授权
摘要
本实用新型提供一种非对称电压的单路双向TVS浪涌保护芯片，其包括N型衬底、第一P型杂质、第二P型杂质、N型掺杂、第一表面结构和第二表面结构，第一P型杂质和第二P型杂质分别设置在N型衬底两端中部，外侧被N型衬底包裹，一端露出N型衬底，另一端沉入N型衬底中，N型掺杂设置在第一P型杂质上，外侧被第一P型杂质包裹，一端露出第一P型杂质，另一端沉入第一P型杂质，第一表面结构和第二表面结构设置在N型衬底两端，用于导电。本实用新型的非对称电压的单路双向TVS浪涌保护芯片，可以实现双向非对称电压的保护，整体结构简单，应对正反向需要不同保护电压值的电路时的保护能力较好，节约成本，节约线路板空间。
基本信息
专利标题 ：
非对称电压的单路双向TVS浪涌保护芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021995762.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN212725316U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
刘宗贺吴沛东马海军李长林吴宏达
申请人 ：
深圳长晶微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
代理机构 ：
深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李捷
优先权 ：
CN202021995762.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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