低触发可调控维持电压双向静电释放器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种低触发可调控维持电压双向静电释放器件，包括P型衬底；P型衬底上设有第一、第二N阱；第一N阱中设有第一N+注入区、第一P+注入区，第二N阱中设有第四P+注入区、第四N+注入区，第二P+注入区横跨第一N阱和P型衬底，第三P+注入区横跨P型衬底和第二N阱；第二P+注入区与第三P+注入区之间设有第二、第三N+注入区；第一多晶硅栅位于第一、第二P+注入区之间；第二多晶硅栅位于第二、第三N+注入区之间；第三多晶硅栅位于第三、第四P+注入区之间。本实用新型在传统双向SCR中间嵌入NMOS管，通过给GATE不同的栅压调控器件的维持电压，可降低维持电压来箝住ESD脉冲。
基本信息
专利标题 ：
低触发可调控维持电压双向静电释放器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920429165.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN209461460U
授权日 ：
2019-10-01
发明人 ：
汪洋李婕妤骆生辉金湘亮董鹏
申请人 ：
湖南静芯微电子技术有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
代理机构 ：
湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
颜昌伟
优先权 ：
CN201920429165.9
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2019-10-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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