电压控制双向开关
授权
摘要
一种电压控制的垂直双向单片开关，参考关于开关的后表面，从低掺杂N型半导体基底上形成，其中控制结构包括在前表面侧的第一P型阱，在第一P型阱中形成有一个N型区域，并且还包括形成了MOS晶体管的第二P型阱，第一P型阱和MOS晶体管的栅极连接到控制端，所述N型区域连接到MOS晶体管的主端子，并且MOS晶体管的第二主端子连接到开关的后表面电压。
基本信息
专利标题 ：
电压控制双向开关
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835247A
申请号 ：
CN200510121726.1
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
塞缪尔·蒙纳德
申请人 ：
ST微电子公司
申请人地址 ：
法国蒙鲁日
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
马浩
优先权 ：
CN200510121726.1
主分类号 ：
H01L29/66
IPC分类号 ：
H01L29/66
相关图片
法律状态
2009-05-27 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100492658C.PDF
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2、
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