无辅助、低触发电压和高维持电压的SCR

避免重复授权放弃专利权

摘要

本实用新型公开了一种保护性SCR集成电路装置，其建立在邻接的N阱和P阱上且限定了阳极和阴极。除阳极和阴极的接触结构之外，该装置具有桥接于该N阱和该P阱的n型叠层(N+/ESD)结构，以及在该P阱中的p型叠层(P+/PLDD)结构。n型叠层结构和p型叠层结构的分离提供了低触发电压，其与其他物理尺寸和处理参数一起提供了相对高的维持电压。在具体实施方式中，触发电压可为大约8V，同时表明维持电压可通过该n型叠层的横向尺寸控制为大约5-7V。

基本信息

专利标题：

无辅助、低触发电压和高维持电压的SCR

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820116363.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-04-10

授权号：

CN201327830Y

授权日：

2009-10-14

发明人：

楼立芳J·R·蔡平D·洛宾逊-哈赫

申请人：

快捷半导体有限公司

申请人地址：

美国缅因

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杜娟

优先权：

CN200820116363.1

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02 H01L27/04 H01L29/74