一种具有低触发电压的TVS器件
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提出了一种具有低触发电压的TVS器件，在P型衬底层上具有一层N型埋层，所述N型埋层上生长有P型外延层，在P型外延层上方设置有若干N阱区域和P阱区域，在N阱区域及P阱区域的表面有多个深槽，并在深槽内分别形成若干N+区和P+区，在至少一N+区内淀积有N+多晶硅，至少一P+区内形成PLD区，在N阱区域和P阱区域上方设置有一氧化层，氧化层外表面上设置有第一N+多晶硅，在该N+多晶硅外表面设置有第一介质层，在P型外延层上方淀积设置有若干第二介质层，介质层上设置有接触孔，在所述接触孔上分别淀积有至少一阴极和至少一阳极，本实用新型能够降低器件的触发电压，同时保持了其导通电阻极低的特性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有低触发电压的TVS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921699866.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-12
授权号 ：
CN211208450U
授权日 ：
2020-08-07
发明人 ：
蒋骞苑苏海伟赵德益李洪赵志方吕海凤张啸王允张彩霞
申请人 ：
上海长园维安微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
代理机构 ：
上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
衣然
优先权 ：
CN201921699866.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/02
法律状态
2020-11-27 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 29/06
变更事项 : 专利权人
变更前 : 上海长园维安微电子有限公司
变更后 : 上海维安半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
变更后 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
变更事项 : 专利权人
变更前 : 上海长园维安微电子有限公司
变更后 : 上海维安半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
变更后 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
2020-08-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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