具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构
授权
摘要
本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有高触发电流的SCR器件，其中，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱；低压第二导电类型阱和低压第一导电类型阱；第一N+区和第一P+区；第二N+区和第二P+区；低压第二导电类型阱与低压第一导电类型阱的交界位置处设置触发结构，触发结构包括交替设置的触发N+区与触发P+区；所有触发N+区均分别与第一N+区和第一P+区连接，且连接后形成SCR器件的阳极金属端；所有触发P+区均分别与第二N+区和第二P+区连接，且连接后形成SCR器件的阴极金属端。本发明还公开了一种具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构。本发明提供的具有高触发电流的SCR器件能够在不改变工艺的前提下提升触发电流。
基本信息
专利标题 ：
具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114121943A
申请号 ：
CN202210098555.9
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
CN114121943B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
朱伟东赵泊然
申请人 ：
江苏应能微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区华山路8号-5号楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈丽丽
优先权 ：
CN202210098555.9
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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