高维持电压双向可控硅静电保护器件
授权
摘要
本实用新型提供了一种高维持电压双向可控硅静电保护器件，包括多个单指器件，每两个单指器件之间共用阳极构成多个双指器件，多个双指器件之间共用阴极；每个单指器件包括：N型埋层、深N阱、浅N阱、第一浅P阱和第二浅P阱。浅N阱上侧设置有一个N+重掺杂区，第一浅P阱上侧设置有一个N+重掺杂区和一个P+重掺杂区，第一浅P阱和第二浅P上侧横跨设置一个P+重掺杂区；每个深N阱中靠近击穿面一侧的P+重掺杂区浮空，其余N+重掺杂区和P+重掺杂区相连，所有深N阱中相连的N+重掺杂区和P+重掺杂区依次交替作为阳极或阴极。达到了高失效电流、高维持电压、版图面积小，双向防护和器件开启速度快等特点。
基本信息
专利标题 ：
高维持电压双向可控硅静电保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021099401.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-15
授权号 ：
CN212010969U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
茅寅松吴岩
申请人 ：
上海安导电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市奉贤区海湾镇五四支路171号14幢92室
代理机构 ：
上海段和段律师事务所
代理人 ：
李佳俊
优先权 ：
CN202021099401.4
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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