一种具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅
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摘要
一种具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅，包括P型衬底，P型衬底上表面两侧设置的N阱区和P阱区，N阱区内表面设置的阳极，P阱区内表面设置的阴极，设置在P型衬底上表面且两端设置在N阱区和P阱区内部的第三N+区，N型隔离环和/或P型隔离环。其中N型隔离环包括设置在N阱区下方的N埋层，设置在N阱区远离P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第一N型深注入层，设置在N阱区靠近P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第二N型深注入层；P型隔离环包括设置在P阱区下方的P埋层，设置在P阱区远离N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第一P型深注入层，设置在P阱区靠近N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第二P型深注入层。
基本信息
专利标题 ：
一种具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921418257.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN210092089U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
乔明齐钊邓琪
申请人 ：
成都矽能科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
葛启函
优先权 ：
CN201921418257.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/74
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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