一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件，本实用新型通过在浅N阱中加入与阳极相连的N+注入区，器件反向导通时，与阴极形成寄生二极管，使得反向路径不必经过隔离环，静电倾向于从寄生二极管泄放，从而降低反向导通路径的导通电阻，可有效提高器件的反向失效电流和反向电流泄放能力；本实用新型的单向可控硅器静电释放器件具有低导通电阻的特点，可在有效提高器件的反向失效电流和反向电流泄放能力的同时实现高防护等级。
基本信息
专利标题 ：
一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020986670.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-02
授权号 ：
CN212485326U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
李幸曹佩汪洋金湘亮董鹏
申请人 ：
湖南静芯微电子技术有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市长沙经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
代理机构 ：
深圳市沈合专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
沈祖锋
优先权 ：
CN202020986670.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06 H01L29/74
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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